紅外成像儀是一種采用紅外探測(cè)技術(shù)，通過探測(cè)器和光電轉(zhuǎn)換器件接收目標(biāo)物體的紅外輻射能量分布圖案，并將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的設(shè)備。

　　它利用物體發(fā)出的紅外輻射來測(cè)量溫度分布，所以又叫紅外測(cè)溫儀或紅外熱像儀。

　　隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，特別是現(xiàn)代微電子技術(shù)和計(jì)算機(jī)技術(shù)的引進(jìn)和發(fā)展，傳統(tǒng)的紅外測(cè)溫技術(shù)有了新的突破和提高。目前常用的非接觸測(cè)溫方法有:黑體輻射法、半導(dǎo)體制冷原理法、微波表面發(fā)射率法和光聲效應(yīng)法等。其中，常用的方法是黑體和半導(dǎo)體制冷原理。

　　1、黑體輻射特性

　　當(dāng)加熱到一定溫度時(shí)，物體吸收的熱量減少(或停止)了物體自身輻射的熱量，此時(shí)的溫度稱為該點(diǎn)的溫度TM；與吸收的熱量相比，物體放出的熱量可以忽略不計(jì)，不計(jì)時(shí)(通常小于1J/kg·k)，此時(shí)物體的溫度稱為該點(diǎn)的表觀溫度Te。

　　由于各種物質(zhì)的分子運(yùn)動(dòng)理論不同，每種物質(zhì)都有自己獨(dú)特的譜線特征和吸收、發(fā)射功率密度值(即吸收系數(shù)和功率密度)。根據(jù)這些特性，可以選擇合適的光源進(jìn)行測(cè)量。

　　2.晶體硅材料

　　對(duì)于一般氣體，由于其分子的振動(dòng)頻率接近晶體在室溫下的共振頻率范圍，加熱過程中產(chǎn)生的紅外能量基本可以忽略不計(jì)，而對(duì)于固體，如晶體硅材料，則不然。由于其導(dǎo)熱性差，在加熱過程中會(huì)產(chǎn)生大量的紅外能量損失，從而影響測(cè)量精度和質(zhì)量穩(wěn)定性。

　　3.半導(dǎo)體材料

　　對(duì)于半導(dǎo)體來說，由于其電子能級(jí)較高，其電磁波長(zhǎng)較長(zhǎng)，導(dǎo)致加熱過程中能量損失較大(主要是熱損失)。

　　4.其他

　　如陶瓷材料、金屬玻璃等。

　　以上材料各有特點(diǎn)，但就使用效果而言，晶硅和LED是好的。

　　5.光學(xué)系統(tǒng)

　　用于檢測(cè)的溫度范圍為-150℃~+1500℃的高溫?zé)嵯耧@示儀。主要用于工業(yè)領(lǐng)域高溫部件的溫度檢測(cè)和控制以及軍事領(lǐng)域的應(yīng)用。